طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد

سید محمد علی زنجانی؛ معصومه عالی پور؛ مصطفی پرویزی

دوره 13، شماره 50 ، شهریور 1401، ، صفحه 115-127

چکیده
  در این مقاله، یک ‌حس­گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه­سازی شده است که باعث کاهش چشم­گیر توان مصرفی می­شود. در خروجی از یک تقویت­کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات دما، روشی پیشنهادی می­تواند به جبران­سازی این تغییرات ...  بیشتر

نیم جمع کننده DCVS سه مقداری با استفاده از تقویت کننده‌های توکار

نغمه ده آبادی؛ رضا فقیه میرزایی

دوره 11، شماره 42 ، مرداد 1399، ، صفحه 41-56

چکیده
  منطق DCVS یکی از معروف‌ترین روش‌های طراحی مدارهای الکترونیکی است، که یک ساختار مستحکم ایجاد می‌کند. بعلاوه، در این منطق طراحی، دو خروجی که مکمل یکدیگر هستند به‌طور همزمان تولید می‌شوند. این منطق کاربردها و ویژگی‌های زیادی دارد. در این مقاله با استفاده از سه روش مشابه، نیم جمع­کننده‌های DCVS سه مقداری جدید ارائه می‌شوند، که کارآمدی ...  بیشتر

بررسی تقویت کننده‌های الکترونیکی OTA با ضریب هدایت انتقالی قابل تنظیم و کاربرد آن در فیلترهای زمان پیوسته

ابراهیم بُرزآبادی؛ حمیدرضا تقوی؛ همایون مهدوی نسب

دوره 2، شماره 8 ، اسفند 1390، ، صفحه 39-46

چکیده
  هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی ...  بیشتر

یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

ندا پورداود؛ آرش دقیقی

دوره 2، شماره 8 ، اسفند 1390، ، صفحه 47-58

چکیده
  امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه ...  بیشتر