ادوات کم مصرف
طراحی یک مدولاتور سیگما-دلتای تک-حلقه جدید و کم-توان با هدف کاهش تعداد تقویت کننده در فیلتر حلقه برای کاربردهای بازشناسی گفتار

سحر دولابی؛ مهدی تقی زاده؛ محمدحسین فاتحی؛ جاسم جمالی

مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 12 خرداد 1401

چکیده
  در این مقاله یک ساختار عمومی جدید برای مدولاتور سیگما-دلتای تک حلقه با ترکیب دو روش اعوجاج-پایین و نویز تزویج ­شده برای کاربردهای کم-توان با دقت بالا ارائه شده است. روش اعوجاج-پایین در ساختار ارائه­ شده، باعث می­شود تا تابع تبدیل سیگنال آن برابر یک شود. از طرفی روش نویز تزویج ­شده باعث افزایش مرتبه شکل­دهی نویز کوانتیزاسیون ...  بیشتر

نانو الکترونیک
طراحی مدارهای محاسباتی با استفاده از دروازه اکثریت 7 ورودی جدید در آتوماتای سلولی کوانتومی

فرزانه جهانشاهی جواران؛ سمیه جعفرعلی جاسبی؛ حسین خادم الحسینی؛ راضیه فرازکیش

مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 25 تیر 1401

چکیده
  آتوماتای سلولی کوانتومی (QCA) نوعی فن­آوری محاسباتی است که جهت ساخت مدارهایی در ابعاد نانو به­کار برده می‌شود. با کاهش ابعاد قطعات، حساسیت مدار بیشتر شده و مدارهای کوانتومی نسبت به وقوع عیوب و تشعشعات محیط آسیب­پذیرتر هستند. دو دروازه پایه در این فن­آوری دروازه معکوس­کننده و دروازه اکثریت هستند که بیشتر مدارها بر پایه این ...  بیشتر

الکترونیک نوری
طراحی و بهینه سازی ساختار مدولاتور پلاسمونیکی مبتنی بر ماده فعال ITO وگرافن

عباس اسلامی؛ مجتبی صادقی؛ زهرا عادل پور

دوره 14، شماره 53 ، خرداد 1402، ، صفحه 159-170

چکیده
  در یک دهه اخیر مدارهای مجتمع نوری مانند مدولاتورها، پیشرفت چشم­گیری در زمینه‌های مختلف مانند مخابرات نوری، تصویربرداری و سنسور داشته‌اند. از میان مواد فعال مورد استفاده در مدولاتورها، گرافن و اکسید قلع آلاییده با ایندیم (ITO) به‎سبب ویژگی اپسیلون نزدیک به صفر (ENZ)، سرعت و پاسخ‎دهی قابل توجه که دارند، یکی از گزینه‌های مناسب در ...  بیشتر

طراحی سلول حافظه هیبریدی غیرفرار چهار ترانزیستوری و یک ممریستوری کم توان، پر سرعت با تراکم بالا

آرش علیجانی؛ بهزاد ابراهیمی؛ مسعود دوستی

دوره 13، شماره 52 ، اسفند 1401، ، صفحه 53-64

چکیده
  ممریستور به­عنوان چهارمین عنصر بنیادی بعد از مقاومت، خازن و سلف شناخته می‌شود. ممریستور به‌خاطر توان مصرفی صفر در حالت نگه­داری داده و غیرفرار بودن، در آینده‌ای نزدیک می‌تواند به عنصر اساسی حافظه‌های اصلی یا پنهان دست­رسی تصادفی ایستا  (SRAM) یا    دست­رسی تصادفی پویا (DRAM) تبدیل شود، همچنین می‌تواند به‌صورت مؤثری راندمان، ...  بیشتر

مهندسی پزشکی
طراحی و شبیه سازی مبدل سیگما دلتای فوق کم مصرف با استفاده از تقویت کننده تمام تفاضلی مبتنی بر اینورتر برای کاربرد سمعک دیجیتال

شیما علیزاده زنجانی؛ ابومسلم جان نثاری؛ پویا ترکزاده

دوره 13، شماره 51 ، آذر 1401، ، صفحه 75-90

چکیده
  در این مقاله، یک مبدل سیگما دلتای زمان گسسته فوق کم‌مصرف مرتبه دوم، برای کاربرد سمعک پیشنهاد شده است. در تجهیزات پزشکی مانند سمعک که دایما استفاده می‌شود، طول عمر باتری و مصرف انرژی مورد توجه است. در مبدل های سیگما-دلتا نوعی، OTA ‌ها بیشترین مصرف را دارند. حذف OTAها در مبدلهای سیگما دلتا همچنان یک چالش محسوب می‌شود. بنابراین مبدلی با ...  بیشتر

طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد

سید محمد علی زنجانی؛ معصومه عالی پور؛ مصطفی پرویزی

دوره 13، شماره 50 ، شهریور 1401، ، صفحه 115-127

چکیده
  در این مقاله، یک ‌حس­گر دمای جدید مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای نانو لوله کربنی در ناحیه زیرآستانه طراحی و شبیه­سازی شده است که باعث کاهش چشم­گیر توان مصرفی می­شود. در خروجی از یک تقویت­کننده تفاضلی استفاده شده و جهت ثابت ماندن مقادیر بهره و سطح مد مشترک در اثر تغییرات دما، روشی پیشنهادی می­تواند به جبران­سازی این تغییرات ...  بیشتر

شبیه‌سازی و تحلیل پارامترهای موثر بر پاسخ طیفی فاکتورتقویت میدان الکتریکی در یک سیستمAFM-TERS پیشنهادی

محسن کاتبی جهرمی؛ رحیم غیور؛ زهرا عادل پور

دوره 13، شماره 50 ، شهریور 1401، ، صفحه 129-139

چکیده
  یکی از پیشرفت­های مهم سال­های اخیر در دستگاه رامان، تلفیق آن با میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) به­­خصوص میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بوده ­است. میکروسکوپ نیروی اتمی در حال حاضر به­عنوان یکی از بـهترین روش­های تصویر­برداری برای مطالعه توزیع ناهمگون سطح در ابعاد نانو شناخته می­شود. در سال­های اخیر دانشمندان بر روی به­دست آوردن ...  بیشتر

معرفی یک D Flip-Flop مبتکرانه برای طراحی ثبات چهار ارزشی QCA

علیرضا نویدی؛ رضا صباغی ندوشن؛ مسعود دوستی

دوره 13، شماره 49 ، خرداد 1401، ، صفحه 91-101

چکیده
  اتوماتای سلولی نقاط کوانتومی (QCA) با بهره‌گیری از پیشرفت‌های فن‌آوری نانو، بسیاری از محدودیت‌هایی که نیمه‌رسانا اکسید فلزی مکمل (CMOS) با آن روبرو شده بود را برطرف کرده است. مشخصه‌های نامطلوب همانند جریان‌های نشتی زیاد، طراحی‌های CMOS را در ابعاد نانو محدود می‌سازد. ایده‌ی طراحی سیستم‌های چند ارزشی منطقی (MVL) به جای دودویی استاندارد، ...  بیشتر

منابع و فن آوری های انرژی های تجدیدپذیر
ارتقاء عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر کادمیوم تلوراید با استفاده از ترکیبات ZnCdS/NiO و ZnO برای لایه های ETL/HTL و TCO

ابراهیم عموپور؛ جواد حسن زاده کلاشمی؛ علی عبداله زاده ضیابری؛ پیمان عظیمی انارکی

دوره 12، شماره 48 ، بهمن 1400، ، صفحه 81-90

چکیده
  سلول خورشیدی کادمیوم تلوراید (CdTe) به دلیل کارایی بالا، هزینه کم و پایداری بالا شناخته شده است. در این مقاله، شبیه‌سازی سلول خورشیدی مبتنی بر کادمیوم تلوراید (ZnO/ZnCdS/CdTe/NiO/Al) ارائه شده است. لایه­های ZnCdS،NiO  و ZnO به­ترتیب به­ عنوان لایه­های ترابردکننده الکترون/حفره (ETL/HTL) و اکسید رسانای شفاف (TCO) استفاده شده­اند. برای ارزیابی عملکرد ...  بیشتر

مدارهای مجتمع الکترونیک
طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان

کرامت کرمی؛ سید محمد علی زنجانی؛ مهدی دولتشاهی

دوره 12، شماره 47 ، آذر 1400، ، صفحه 49-59

چکیده
  ممریستور به­عنوان عنصر اساسی حافظه ­های اصلی یا پنهان SRAM و DRAM،می ­تواند به­صورت موثری زمان راه­ اندازی و توان مصرفی مدارها را کاهش دهد. غیر فرار بودن، چگالی بالای مدار نهایی و کاهش حاصل­ضرب تاخیر در توان مصرفی PDp از حقایق قابل توجه مدارهای ممریستوری است که منجر به پیشنهاد سلول حافظه شامل چهار ترانزیستور و دو ممریستور (4T2M) ...  بیشتر

ادوات کم مصرف
طراحی سیستمی یک گیرنده غیرهمدوس کم‌توان برای تحریک کاشتینه‌های عصبی بی‌سیم

فخرالسادات رستگاری؛ مسعود دوستی؛ بهبد قلمکاری

دوره 12، شماره 46 ، شهریور 1400، ، صفحه 85-96

چکیده
  در سال­های اخیر فرستنده­ ـ­گیرنده­ های کم­ توان، کاربردهای وسیعی در زمینه مهندسی پزشکی پیدا کرده ­اند. در این مقاله طراحی و شبیه ­سازی سیستمی یک گیرنده کم­ توان قابل کاشت در بدن برای تحریک سلول­های مغز ارائه شده است. گیرنده مورد نظر به­صورت کم­توان با نرخ داده بالا در باند رادیویی صنعتی، علمی و پزشکی (ISM) برای استفاده ...  بیشتر

ادوات کم مصرف
طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده ترارسانای عملیاتی راه‌اندازی شده از طریق بدنه مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدان نانولوله‌کربنی

سید محمد علی زنجانی؛ مصطفی پرویزی

دوره 12، شماره 45 ، خرداد 1400، ، صفحه 63-74

چکیده
  در این مقاله، یک مدار تقویت­ کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه پیشنهاد می­شود که نیاز­های بهره بالا، توان مصرفی پایین و نویز کم را برآورده می ­کند و بر اساس روشgm/ID  و راه­اندازی از طریق بدنه طراحی شده است. قابل ذکر است که طراحی­­های صورت گرفته مداری با توجه به محدودیت­های فناوری CMOS، در فناوری CNTFET انجام شده است. همچنین ...  بیشتر

نیم جمع کننده DCVS سه مقداری با استفاده از تقویت کننده‌های توکار

نغمه ده آبادی؛ رضا فقیه میرزایی

دوره 11، شماره 42 ، مرداد 1399، ، صفحه 41-56

چکیده
  منطق DCVS یکی از معروف‌ترین روش‌های طراحی مدارهای الکترونیکی است، که یک ساختار مستحکم ایجاد می‌کند. بعلاوه، در این منطق طراحی، دو خروجی که مکمل یکدیگر هستند به‌طور همزمان تولید می‌شوند. این منطق کاربردها و ویژگی‌های زیادی دارد. در این مقاله با استفاده از سه روش مشابه، نیم جمع­کننده‌های DCVS سه مقداری جدید ارائه می‌شوند، که کارآمدی ...  بیشتر

بررسی روش‌های مدیریت و بازیافت زباله‌های روبه رشد الکترونیکی با تاکید بر فرآیندهای سازگار با محیط زیست

سامان مدنیان؛ سید محمد علی زنجانی

دوره 11، شماره 41 ، اردیبهشت 1399، ، صفحه 61-71

چکیده
  زباله­ های الکترونیکی (E-waste) شامل دستگاه­ های الکتریکی یا الکترونیکی منسوخ شده هستند. بازیافت زباله­ های الکترونیکی از نظر حفاظت از منابع و محیط زیست یک موضوع مهم است. در حال حاضر، سالانه نزدیک به 3/1 میلیارد تن زباله در سراسر جهان تولید می­شود که انتظار می­رود تا سال 2025 به 3/4 میلیارد تن در سال افزایش یابد. پیش­بینی شده­است ...  بیشتر

طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCMOS

اسماعیل کریمی

دوره 10، شماره 39 ، آبان 1398، ، صفحه 23-28

چکیده
  خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ...  بیشتر

یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین

امیر باغی رهین؛ وحید باغی رهین

دوره 10، شماره 37 ، اردیبهشت 1398، ، صفحه 13-22

چکیده
  گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و ...  بیشتر

طراحی و شبیه‌سازی یک مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار جدید با دقت 12 بیت و نرخ نمونه‌برداری یک GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه

نجمه چمن پیرا؛ سید محمد علی زنجانی؛ مهدی دولتشاهی

دوره 9، شماره 34 ، مرداد 1397، ، صفحه 3-10

چکیده
  در این مقاله، یک مدار جدید نمونه‌بردار و نگه‌دار Sample and Hold (S&H) با دقت 12-bit و نرخ نمونه‌برداری 1 GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه پیشنهاد شده است. تکنیک نمونه‌برداری دوگانه این امکان را فراهم آورده است که مدار همیشه در فاز نگه‌داری عمل نماید که خود منجر به افزایش سرعت کل سیستم در مبدل‌های داده می‌شود. به‌منظور کاهش خطاهای ...  بیشتر

طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز با بهره بالا و توان مصرفی پایین در فرکانس 2.4GHz برای سیستم های بی سیم

اسماعیل کریمی؛ ابراهیم بُرزآبادی

دوره 7، شماره 25 ، اردیبهشت 1395، ، صفحه 55-62

چکیده
  در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی ...  بیشتر

طراحی یک فیلتر چند حالته Gm-C با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه

محمد آقایی جشوقانی؛ مهدی دولتشاهی

دوره 4، شماره 15 ، آذر 1392، ، صفحه 3-10

چکیده
  در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه ...  بیشتر

بررسی تقویت کننده‌های الکترونیکی OTA با ضریب هدایت انتقالی قابل تنظیم و کاربرد آن در فیلترهای زمان پیوسته

ابراهیم بُرزآبادی؛ حمیدرضا تقوی؛ همایون مهدوی نسب

دوره 2، شماره 8 ، اسفند 1390، ، صفحه 39-46

چکیده
  هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی ...  بیشتر

پیاده سازی سخت افزاری هسته حذف نویز وفقی مبتنی بر الگوریتم حداقل میانگین مربعات با کمترین منابع مصرفی

امید شریفی تهرانی؛ محسن عشوریان؛ پیمان معلم

دوره 2، شماره 7 ، آذر 1390، ، صفحه 68-73

چکیده
  در این مقاله پیاده سازی سخت افزاری هسته حذف نویز فعال ارائه می‌گردد. فیلترهای وفقی در زمینه‌های مختلفی مانند پردازش سیگنال، رادار، سونار، شناسایی کانال و غیره مورد استفاده قرار می‌گیرند. فیلترهای وفقی با پاسخ ضربه محدود به دلیل حجم کم محاسبات و فاز خطی بسیار محبوب می‌باشند. الگوریتم حداقل میانگین مربعات برای آموزش ضرایب این فیلترها ...  بیشتر