رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 استادیار /دانشگاه شهرکرد

2 کارشناسی ارشد /مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تیران و کرون

چکیده

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می‌گردد. در نهایت نتایج شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار می‌گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می‌دهد.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

A New Nonlinear Model of Body Resistance in Nanometer PD SOI MOSFETs

نویسندگان [English]

  • Arash Daghighi 1
  • Azam Askari Khoshuei 2
1 Assistant Professor/Shahrekord University
2 MSc/University of Applied Science and Technology - Tiran and Karvan Branch
چکیده [English]

In this paper, a nonlinear model for the body resistance of a 45nm PD SOI MOSFET is developed. This model verified on the base of the small signal three-dimensional simulation results. In this paper by using the three-dimensional simulation of  ISE-TCAD software, the indicating factors of body resistance in nanometer transistors and then are shown, using the surface potential model. A mathematical relation to calculat the body resistance incorporating device width and body potential was derived. Excellent agreement was obtained by comparing the model outputs and three-dimensional simulation results.

کلیدواژه‌ها [English]

  • PD SOI
  • PSP SOI
  • body resistance
  • body voltage
  • nanometer