الکترونیک نوری
طراحی و بهینه سازی ساختار مدولاتور پلاسمونیکی مبتنی بر ماده فعال ITO وگرافن

عباس اسلامی؛ مجتبی صادقی؛ زهرا عادل پور

دوره 14، شماره 53 ، خرداد 1402، ، صفحه 159-170

چکیده
  در یک دهه اخیر مدارهای مجتمع نوری مانند مدولاتورها، پیشرفت چشم­گیری در زمینه‌های مختلف مانند مخابرات نوری، تصویربرداری و سنسور داشته‌اند. از میان مواد فعال مورد استفاده در مدولاتورها، گرافن و اکسید قلع آلاییده با ایندیم (ITO) به‎سبب ویژگی اپسیلون نزدیک به صفر (ENZ)، سرعت و پاسخ‎دهی قابل توجه که دارند، یکی از گزینه‌های مناسب در ...  بیشتر

بررسی تاثیر مشخصات لایه آلومینیومی بر عملکرد آشکارساز نوری MSM سیلیکنی

مریم زارع پور؛ حامد دهدشتی جهرمی

دوره 13، شماره 49 ، خرداد 1401، ، صفحه 103-114

چکیده
  آشکارساز نوری فلز-نیمه‌هادی-فلز از دو پیوند شاتکی و روزنه‌هایی برای جذب فوتون تشکیل شده و جریان تاریک کمی دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر مشخصات اتصال آلومینیومی بر جریان‌های تاریک و نوری و پاسخ نوری آشکارساز فلز- نیمه­هادی-فلز (MSM) سیلیکنی پرداخته شده است. با توجه به روش رشد لایه فلزی، تابع کار یک فلز می‌تواند در یک بازه محدود ...  بیشتر

طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCMOS

اسماعیل کریمی

دوره 10، شماره 39 ، آبان 1398، ، صفحه 23-28

چکیده
  خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ...  بیشتر

مهندسی مخابرات
ارزیابی مهندسی شبکه‌های نوریِ WRN شفاف گسترده با استفاده از مسیریابی استاتیکی

مهدی کریمیان؛ سید صادق فدایی

دوره 2، شماره 7 ، آذر 1390، ، صفحه 31-36

چکیده
  شبکه‌های تمام نوری با مسیردهی به تفکیک طول موج شفاف جزو شبکه‌های نسل آینده هستند و با هزینه کم پهنای باند زیادی را تأمین خواهند کرد. به خاطر عوامل تخریب سیگنال فیبرهای نوری و تجهیزات نوری شبکه، یک طرح مسیریابی که فقط عملکرد لایه شبکه را در نظر بگیرید، لزوماً بهترین طرح مسیریابی نمی‌باشد چرا که ممکن است پس از در نظر گرفتن عملکرد لایه ...  بیشتر

رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر

آرش دقیقی؛ اعظم عسکری‌خشویی

دوره 1، شماره 4 ، اسفند 1389، ، صفحه 17-24

چکیده
  در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و ...  بیشتر