طراحی سلول حافظه هیبریدی غیرفرار چهار ترانزیستوری و یک ممریستوری کم توان، پر سرعت با تراکم بالا

آرش علیجانی؛ بهزاد ابراهیمی؛ مسعود دوستی

دوره 13، شماره 52 ، اسفند 1401، ، صفحه 53-64

چکیده
  ممریستور به­عنوان چهارمین عنصر بنیادی بعد از مقاومت، خازن و سلف شناخته می‌شود. ممریستور به‌خاطر توان مصرفی صفر در حالت نگه­داری داده و غیرفرار بودن، در آینده‌ای نزدیک می‌تواند به عنصر اساسی حافظه‌های اصلی یا پنهان دست­رسی تصادفی ایستا  (SRAM) یا    دست­رسی تصادفی پویا (DRAM) تبدیل شود، همچنین می‌تواند به‌صورت مؤثری راندمان، ...  بیشتر